EliteSiC电动汽车充电解决方案

用于电动汽车充电的碳化硅和碳化硅/硅混合模块

安森美半导体提供最全面的功率集成模块（PIM）产品组合，可以支持市场上的主要拓扑结构，使设计人员能够灵活地为直流快充或储能系统应用中的功率转换级选择最理想的PIM。为了加快设计周期，设计人员可以通过我们的自助式PLECS模型生成器创建先进的分段线性电路仿真（PLECS）模型，并使用该产品组合的Elite Power Simulator进行应用仿真。

对于每个模块，安森美都使用来自同一个晶圆的裸片，以确保更高的一致性和可靠性，因此设计人员不必使用来自不同供应商的分立器件，因为使用不同品牌的分立器件可能会导致性能不一致。除了可靠性之外，该模块组合还具有以下优势：
 

• 采用第三代M3S SiC MOSFET技术，提供业界最低的开关损耗和最高的效率
• 支持主要拓扑结构，如多电平T型中性点钳位（TNPC）、半桥和全桥拓扑等
• 支持从25kW到100kW的可扩展输出功率，适用于包括双向充电在内的多种直流快充和储能系统平台
• 符合行业标准的F1和F2封装，可选择预涂导热界面材料（TIM）和压合引脚
• 实现卓越的热管理，避免过热导致的系统故障
• 全碳化硅模块通过最大限度地减少功率损耗来实现节能，从而直接降低成本和节省能源
• 提供更出色的稳健性和可靠性，确保一致的操作

EliteSiC 模块

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正确匹配栅极驱动器与EliteSiC

电动汽车充电、储能、不间断电源系统（UPS）和太阳能等能源基础设施应用快速普及，正将系统功率水平提升到数百千瓦甚至兆瓦。这些高功率应用采用半桥、全桥和三相拓扑结构，循环使用多达6个开关来控制逆变器和无刷直流电机（BLDC）。根据功率水平和开关速度的不同，系统设计人员会选择各种开关技术，包括硅、IGBT和碳化硅，以最有效地满足不同的应用需求。

在这些高功率应用中，IGBT相对于硅解决方案提供了更卓越的热性能，但安森美半导体的EliteSiC既能实现更高的开关速度又能提供高功率。公司提供完整的碳化硅MOSFET产品组合，击穿电压范围在650V到1700V之间，导通电阻（RDSON）低至12mΩ。然而，每个碳化硅MOSFET都需要正确的栅极驱动器，才能最大化系统效率并最小化总功率损耗。下表一目了然地列出了与每种碳化硅MOSFET匹配的栅极驱动器。

安森美半导体的IGBT是电动汽车充电系统的重要元器件，以其在全球大功率充电站中表现出来的高效性和可靠性而闻名。它们采用先进的半导体技术设计，可确保最佳的性能、热管理和功率密度，适用于公共和私人充电设施。随着汽车行业逐步走向电气化，安森美半导体通过创新的解决方案继续引领着电动汽车充电基础设施的发展。