制造商:
Vishay
SIA910EDJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV
安富利制造商模型#:
SIA910EDJ-T1-GE3
RoHS 6 Compliant
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.5 A, 12 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV
技术参数
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
- New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package
- Small Footprint Area
- Low On-Resistance
- Typical ESD Protection: 2400 V
- 100 % Rg Tested
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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漏源电压Vds N沟道 | 12 |
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引脚数 | 6 |
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连续漏极电流Id N沟道 | 4.5 |
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晶体管外壳样式 | PowerPAK SC70 |
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漏源导通电阻N沟道 | 28 |
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功率耗散N沟道 | 7.8 |
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最高工作温度 | 150 |
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沟道类型 | Dual N |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |