制造商:
Vishay
SIA446DJ-T1-GE3
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
安富利制造商模型#:
SIA446DJ-T1-GE3
RoHS 10 Compliant
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
技术参数
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qg, Qsw and Qoss
- 100 % Rg and UIS tested
技术特性
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描述 | 值 |
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最高工作温度 | 150 |
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导通电阻测试电压 | 10 |
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连续漏极电流Id | 7.7 |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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漏源电压Vds | 150 |
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晶体管外壳样式 | PowerPAK SC70 |
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漏源导通电阻 | 177 |
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沟道类型 | N |
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功率耗散 | 19 |
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引脚数 | 6 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541290080 |
| HTSN: | 8541290095 |