制造商:
Vishay
Si9945BDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V
安富利制造商模型#:
SI9945BDY-T1-GE3
RoHS 10 Compliant
NCNR
Obsolete
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 60 V, 46 mohm, 10 V, 2.5 V
技术参数
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
技术特性
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描述 | 值 |
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漏源电压Vds N沟道 | 60 |
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漏源导通电阻N沟道 | 58 |
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引脚数 | 8 |
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功率耗散N沟道 | 3.1 |
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晶体管外壳样式 | SOIC |
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最高工作温度 | 150 °C |
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连续漏极电流Id N沟道 | 5.3 |
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沟道类型 | Dual N Channel |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |