Si9435BDY-T1-GE3 | Vishay 单MOSFET | Avnet Asia Pacific

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Si9435BDY-T1-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

Si9435BDY-T1-GE3 | 单MOSFET | Vishay
Vishay
制造商: Vishay
安富利制造商模型#: SI9435BDY-T1-GE3
RoHS 6 Compliant
NCNR
Obsolete

Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC N T/R

技术参数

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • TrenchFET® Power MOSFET
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

技术特性

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描述
沟道类型 P
最高工作温度 150
导通电阻测试电压 10
引脚数 8
漏源电压Vds 30
晶体管安装 Surface Mount
漏源导通电阻 42
晶体管外壳样式 SOIC
连续漏极电流Id 4.1
功率耗散 1.3
MSL 级别 MSL 1 - Unlimited

ECCN / UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
计划交货期 B: 8541290080
HTSN: 8541290095
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