制造商:
Vishay
Si4931DY-T1-E3
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
安富利制造商模型#:
SI4931DY-T1-E3
RoHS 10 Compliant
NCNR
Obsolete
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 6.7A 8-Pin SOIC T/R
技术参数
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
- Advanced High Cell Density Process
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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沟道类型 | Dual P |
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晶体管外壳样式 | SOIC |
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漏源导通电阻P沟道 | 18 |
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最高工作温度 | 150 |
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连续漏极电流Id P沟道 | 6.7 |
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引脚数 | 8 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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功率耗散P沟道 | 1.1 |
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漏源电压Vds P沟道 | 12 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |