制造商:
Vishay
SI4490DY-T1-GE3
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
安富利制造商模型#:
SI4490DY-T1-GE3
RoHS 10 Compliant
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V
技术参数
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFETs
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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最高工作温度 | 150 |
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导通电阻测试电压 | 10 |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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晶体管外壳样式 | SOIC |
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漏源电压Vds | 200 |
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沟道类型 | N |
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功率耗散 | 1.56 |
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引脚数 | 8 |
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连续漏极电流Id | 2.85 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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漏源导通电阻 | 80 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |