制造商:
Vishay
SI2374DS-T1-GE3
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
安富利制造商模型#:
SI2374DS-T1-GE3
RoHS 10 Compliant
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
技术参数
- TrenchFET® power MOSFET
- 100 % Rg Tested
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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引脚数 | 3 |
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晶体管外壳样式 | SOT-23 |
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连续漏极电流Id | 5.9 |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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漏源电压Vds | 20 |
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漏源导通电阻 | 30 |
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最高工作温度 | 150 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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沟道类型 | N |
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功率耗散 | 1.7 |
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导通电阻测试电压 | 4.5 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541290080 |
| HTSN: | 8541210095 |