制造商:
Samsung
产品分类:
存储器,
固态(SSD)驱动器
MZ-V8V250BW
Solid State Drive AES 256 bit 250 GB NAND Flash(MLC) 150 TBW NVMe 1.4/PCIe Gen 3.0 M.2 2280 Box
安富利制造商模型#:
MZ-V8V250BW
RoHS 6 Compliant
Solid State Drive AES 256 bit 250 GB NAND Flash(MLC) 150 TBW NVMe 1.4/PCIe Gen 3.0 M.2 2280 Box
技术特性
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描述 | 值 |
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Endurance Measured (DWPD) | 150 TBW |
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外形尺寸 | M.2 2280 |
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加密类型 | AES 256 bit |
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Write Speed | 1300MB/s (Sequential)|320000IOPS (Random) |
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Read Speed | 2900MB/s (Sequential)|230000IOPS (Random) |
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接口类型 | NVMe 1.4|PCIe Gen 3.0 |
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顺序读取速度 | 2900 |
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存储器容量 | 250 |
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顺序写入速度 | 1300 |
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随机写入最高 (IOPS) | 320K |
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接口类型 | NVMe 1.4|PCIe Gen 3.0 |
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随机阅读最高 (IOPS) | 230K |
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Memory Size | 250 GB |
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存储器类型 | NAND Flash(MLC) |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | 3A991.b.1.a |