HS8K11TB | Rohm MOSFET阵列 | Avnet Asia Pacific

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HS8K11TB

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 7A/11A 10-Pin HSML3030 Emboss T/R

HS8K11TB | MOSFET阵列 | Rohm
Rohm
制造商: Rohm
安富利制造商模型#: HS8K11TB
RoHS 10 Exempt

HS8K11 is standard MOSFET for switching application.

技术参数

· Low on-resistance.
· Pb-free lead plating; RoHS compliant.
· Halogen Free.

技术特性

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描述
最高工作温度 150
漏源电压Vds N沟道 30
漏源导通电阻N沟道 17.9
引脚数 10
连续漏极电流Id N沟道 7|11
晶体管外壳样式 HSML3030L10
MSL 级别 MSL 1 - Unlimited
沟道类型 Dual N
功率耗散N沟道 2

ECCN / UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
计划交货期 B: 8541290080
HTSN: 8541290095

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标题 下载 类别 发布日期
Product Guide for HS8K11 Product-Guides 20150617
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