制造商:
onsemi
NVMFS5C604NLAFT1G
MOS Power Transistors LV ( 41V-100V)
安富利制造商模型#:
NVMFS5C604NLAFT1G
RoHS 6 Compliant
New
MOS Power Transistors LV ( 41V-100V)
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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晶体管外壳样式 | DFN-EP |
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引脚数 | 5 |
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沟道类型 | N Channel |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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资质 | AEC-Q101 |
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导通电阻测试电压 | 10 |
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功率耗散 | 200 W |
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漏源电压Vds | 60 V |
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栅极源极阈值电压最大值 | 2 V |
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产品范围 | NVMFS5C604NL S |
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最高工作温度 | 175 °C |
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漏源导通电阻 | 1.2 mOhm |
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连续漏极电流Id | 287 A |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541210080 |
| HTSN: | 8541290095 |