制造商:
onsemi
NTH4L045N065SC1
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
安富利制造商模型#:
NTH4L045N065SC1
RoHS 6 Compliant
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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晶体管外壳样式 | TO-247 |
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连续漏极电流Id | 55 |
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漏源电压Vds | 650 |
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功率耗散 | 187 |
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漏源导通电阻 | 50 |
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导通电阻测试电压 | 18 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |