制造商:
onsemi
NTH4L014N120M3P
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L
安富利制造商模型#:
NTH4L014N120M3P
RoHS 6 Compliant
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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漏源导通电阻 | 20@18V |
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连续漏极电流Id | 127 |
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漏源电压Vds | 1200 |
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引脚数 | 4 |
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最高工作温度 | ||| |
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功率耗散 | 686 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |