MMSD301T1G | onsemi 射频肖特基二极管 | Avnet Asia Pacific

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MMSD301T1G

RF Schottky Diode, Barrier, Single, 30 V, 200 mA, 600 mV, 0.9 pF, SOD-123

MMSD301T1G | 射频肖特基二极管 | onsemi
onsemi
制造商: onsemi
安富利制造商模型#: MMSD301T1G
RoHS 10 Compliant

The MMSD301T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high-efficiency UHF and VHF detector applications. It is readily available to many other fast switching RF and digital applications.

技术参数

  • Extremely low minority carrier lifetime
  • Very low capacitance
  • Low reverse leakage
  • -55 to 125°C Operating junction temperature range

技术特性

查找类似的料号
描述
最高工作温度 125 °C
二极管安装 Surface Mount
反向重复峰值电压 30
正向平均电流 200
MSL 级别 MSL 1 - Unlimited
二极管外壳样式 SOD-123
正向电压最大值 450
引脚数 2
产品范围 MMSD301 Series
二极管配置 Single

ECCN / UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
计划交货期 B: PARTS...
HTSN: PARTS...
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