MMBT918LT1G | onsemi 射频双极晶体管 | Avnet Asia Pacific

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MMBT918LT1G

Transistor GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT918LT1G | 射频双极晶体管 | onsemi
onsemi
制造商: onsemi
安富利制造商模型#: MMBT918LT1G
RoHS 10 Compliant

This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-23 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications.

技术参数

  • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
  • Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
  • Pb-Free Package is Available

技术特性

查找类似的料号
描述
晶体管安装 Surface Mount
连续集电极电流 50
晶体管外壳样式 SOT-23
最高工作温度 150
直流电流增益hFE最小值 20
过渡频率 600
晶体管极性 NPN
功率耗散 225
最大集电极发射极电压 15
MSL 级别 MSL 1 - Unlimited
引脚数 3

ECCN / UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
计划交货期 B: PARTS...
HTSN: PARTS...
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