制造商:
onsemi
FDS6576
晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -20 V, 14 mohm, -4.5 V, -830 mV
安富利制造商模型#:
FDS6576
RoHS 10 Compliant
NCNR
Obsolete
晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -20 V, 14 mohm, -4.5 V, -830 mV
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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栅极源极阈值电压最大值 | 1.5 |
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漏源导通电阻 | 14 |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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沟道类型 | P Channel |
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漏源电压Vds | 20 |
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引脚数 | 8 |
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最高工作温度 | 150 °C |
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功率耗散 | 2.5 |
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晶体管外壳样式 | SOIC |
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连续漏极电流Id | 11 |
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导通电阻测试电压 | 4.5 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541290080 |
| HTSN: | 8541290095 |
文档
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文档
| 标题 | 下载 | 类别 | 发布日期 |
|---|---|---|---|
| FDS6576 8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY | Part-Block-Diagram | 20000913 |