PMGD780SN115 | Nexperia MOSFET阵列 | Avnet Asia Pacific

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PMGD780SN115

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.49A 6-Pin SC-88 T/R

PMGD780SN115 | MOSFET阵列 | Nexperia
Nexperia
制造商: Nexperia
安富利制造商模型#: PMGD780SN,115
RoHS 6 Compliant

Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using TrenchMOS technology.

技术参数

  • Dual device
  • Fast switching
  • Footprint 40 % smaller than SOT23
  • Low on-state resistance
  • Standard level threshold voltage
  • Surface-mounted package

技术特性

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描述
沟道类型 Dual N
MSL 级别 MSL 1 - Unlimited
引脚数 6
连续漏极电流Id N沟道 0.49
最高工作温度 150
功率耗散N沟道 410
晶体管外壳样式 SOT-363
漏源电压Vds N沟道 60
漏源导通电阻N沟道 920

ECCN / UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
计划交货期 B: 8541290080
HTSN: 8541290075
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