制造商:
Nexperia
PMDPB85UPE,115
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.7A 8-Pin DFN2020-6 T/R
安富利制造商模型#:
PMDPB85UPE,115
RoHS 6 Compliant
Dual small-signal P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
技术参数
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection
技术特性
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描述 | 值 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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连续漏极电流Id P沟道 | 3.7 |
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沟道类型 | Dual P |
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漏源电压Vds P沟道 | 20 |
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引脚数 | 8 |
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最高工作温度 | 150 |
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漏源导通电阻P沟道 | 103 |
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功率耗散P沟道 | 1.17 |
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晶体管外壳样式 | SOT-1118 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541210080 |
| HTSN: | 8541210075 |