制造商:
Nexperia
PMBT3904RAZ
Transistor BJT Array Dual NPN 200mA 6-Pin DFN1412 T/R
安富利制造商模型#:
PMBT3904RAZ
RoHS 6 Compliant
Transistor BJT Array Dual NPN 200mA 6-Pin DFN1412 T/R
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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引脚数 | 6 |
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最大集电极发射极电压NPN | 40 |
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功率耗散NPN | 480 |
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连续集电极电流NPN | 200 |
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过渡频率NPN | 300 |
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直流电流增益hFE最小值NPN | 100 |
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最高工作温度 | 150 |
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晶体管外壳样式 | SOT-126 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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晶体管极性 | Dual NPN |
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晶体管安装 | Surface Mount |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541210080 |
| HTSN: | 8541290095 |