制造商:
Nexperia
PDTD113ET215
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin TO-236AB T/R
安富利制造商模型#:
PDTD113ET,215
RoHS 10 Compliant
500 mA NPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.
技术参数
- Built-in bias resistors
- Reduces component count
- Simplifies circuit design
- Reduces pick and place costs
- 500 mA output current capability
技术特性
查找类似的料号|
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描述 | 值 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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晶体管安装 | Surface Mount |
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产品范围 | PDTD113E Serie |
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最大集电极发射极电压NPN | 5 |
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连续集电极电流 | 500 |
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直流电流增益hFE最小值 | 33 |
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晶体管外壳样式 | TO-236AB (SOT- |
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基极发射极输入电阻R2 | 1 |
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功率耗散 | 250 |
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晶体管极性 | NPN |
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引脚数 | 3 |
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最高工作温度 | 150 |
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基极输入电阻R1 | 1 kOhm |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | 8541290080 |
| HTSN: | 8541290075 |