1250V / 1700V PowiGaN：打造新一代 800VDC AI数据中心

伴随 AI 算力需求持续攀升，高功率密度成为数据中心电源的核心诉求，高压 GaN 技术成为赋能功率转换的关键技术。PI 推出的 1250V、1700V PowiGaN™开关器件，专为英伟达 800V 直流 AI 数据中心架构量身打造。采用 1250V GaN 方案可将多级堆叠电路优化为单级半桥 LLC 电路，对比 1200V SiC MOSFET，在效率、散热及综合性能上表现更佳。独特的耗尽型级联设计，带来更充足的栅极驱动余量，大幅提升系统可靠性。器件支持 1MHz 高频工作，助力新一代 AI 数据中心构建高功率密度、高成本效益的电源系统。     

Power Integrations以领先业界的先进GaN功率半导体技术著称，是业内唯一实现1250V和1700V GaN开关大规模量产的供应商。其中包括以下优势：

• 开关损耗更低
• 效率更高
• 可实现更小、更轻的设计

1250V PowiGaN技术可在简单的半桥拓扑中实现800V至12V的直接变换，提供绝佳的功率密度——对于每一毫米空间和净空都弥足珍贵的服务器主板来说，这是一个关键优势。