英飞凌OptiMOS™功率MOSFET采用TOLG封装：带鸥翼式引脚的全新改进版TO-Leadless封装。OptiMOS™功率MOSFET TOLG封装提供60 V、80 V、100 V、200 V和250 V等一系列型号。TOLG与TO-Leadless封装兼容，相比D2PAK 7pin而言具有出色的电气性能，占板空间减小约60%。这种新型封装的导通电阻RDS(on)非常低，并经过优化，可处理超过300 A的大电流。
由于鸥翼式引脚的灵活性， 采用TOLG封装的OptiMOS™在Al-IMS板上表现出良好的焊点可靠性。相比标准要求（IPC-9701）而言，这将使得板载温度循环（TCoB）效率提高2倍。
其主要优势包括，TOLG确保高效率、更低的电磁干扰水平，以及高功率密度。
