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採用SMD擴展爬電距離封裝的CoolSiC™ MOSFET 1700 V

 

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採用SMD擴展爬電距離封裝的CoolSiC™ MOSFET 1700V是三相功率轉換器中使用的輔助電源中最合適的器件。它在簡單的單端反激式轉換器中提供了最佳效率，並且消除了對電壓應力裕度和電源可靠性的設計擔憂。

新型1700V CoolSiC™溝槽MOSFET針對+12V / 0V柵源的反激拓撲進行了優化電壓與常見的PWM控制器兼容，無需柵極驅動器IC。新型D2PAK-7L封裝可滿足1700 V的安全要求，爬電距離和間隙偏差應大於7mm，從而最大程度地減少了PCB設計中的隔離工作。


特色

  • 針對反激式拓撲進行了優化
  • 極低的開關損耗
  • 12V / 0V柵極-源極電壓，與反激式控制器兼容
  • 完全可控的dV / dt，用於EMI優化
  • SMD封裝，爬電距離和電氣間隙增加，> 7 mm

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目標應用

  • 太陽能逆變器
  • 工業UPS
  • 工業開關電源
  • 電動汽車充電器
  • 電機驅動


優勢

  • 1700 V SiC MOSFET可實現高效率的簡單單端反激式拓撲，用於輔助電源
  • SMD封裝可實現自然對流冷卻而無需額外的散熱器，直接集成到PCB中
  • 由於延長了爬電距離和封裝的間距，減少了隔離工作
  • 降低系統複雜度
  • 高功率密度

Infineon CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package


框圖

Infineon 1700V SiC mosfet in simple single-ended flyback converter

 

 

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Datasheet

下載

數據手冊

 

 

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