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采用SMD扩展爬电距离封装的CoolSiC™ MOSFET 1700V

 

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采用SMD扩展爬电距离封装的CoolSiC™ MOSFET 1700V是三相功率转换器中使用的辅助电源中最合适的器件。它在简单的单端反激式转换器中提供了最佳效率，并且消除了对电压应力裕度和电源可靠性的设计担忧。

新型1700V CoolSiC™ 沟槽MOSFET 针对+12V / 0V栅源的反激拓扑进行了优化电压与常见的PWM控制器兼容，无需栅极驱动器IC。新型D2PAK-7L封装可满足1700V 的安全要求，爬电距离和间隙偏差应大于7mm，从而最大程度地减少了PCB设计中的隔离工作。


特色

  • 针对反激式拓扑进行了优化
  • 极低的开关损耗
  • 12V / 0V栅极-源极电压，与反激式控制器兼容
  • 完全可控的dV/dt，用于EMI优化
  • SMD封装，爬电距离和电气间隙增加，>7mm

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目标应用

  • 太阳能逆变器
  • 工业UPS
  • 工业开关电源
  • 电动汽车充电器
  • 电机驱动


优势

  • 大于1700 V的SiC MOSFET可实现高效率的简单单端反激式拓扑，用于辅助电源
  •  SMD封装可实现自然对流冷却而无需额外的散热器，从而直接集成到PCB中
  • 由于延长了爬电距离和封装的间距，减少了隔离工作
  • 降低系统复杂度
  • 高功率密度

Infineon CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package


框图

Infineon 1700V SiC mosfet in simple single-ended flyback converter

 

 

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