SiC658A 系列
高性能 VRPower® 集成功率級模組
本產品採用威世（Vishay）領先的 TrenchFET® 溝槽場效電晶體技術，透過減少開關損耗與導通損耗，達到業界頂級能效。兩款元件均內建 MOSFET 閘極驅動器，具備大電流驅動能力、自適應死區時間控制、整合式自舉元件及零電流偵測功能，有效提升輕載狀態下的運作效率。
威世 SiC658A 系列為高性能集成功率級解決方案，專為需要大電流、高效率及高功率密度的同步降壓電路應用而優化。產品採用體積小巧的 5 毫米 × 5 毫米 MLP 封裝，單一相位可承受高達 50 安培連續電流，非常適用於進階穩壓器設計。
SiC658A 內建接面溫度感測器，可直接提供過熱保護，同時具備過電流保護功能。當高側場效電晶體電流超出電流上限時，元件會即時關閉高側電晶體，並開啟低側電晶體。本產品支援 3.3 伏特邏輯位準的三態脈衝寬度調變（PWM）。
特點
- 散熱強化型 PowerPAK® MLP55-31L 封裝，尺寸僅 5 毫米 × 5 毫米
- 高開關頻率（最高達 1.5 兆赫）
- 功率 MOSFET 針對 12 伏特輸入電路最佳化
- 配備零電流偵測控制，提升輕載效率
- 脈衝寬度調變（PWM）傳輸延遲低
- 具備欠壓閂鎖保護及過熱保護
- 高側場效電晶體短路保護（SiC658A）
- 連續電流承載能力 50 安培
應用
中央處理器、圖形處理器及記憶體之多相穩壓器
