SiC658A 系列

器件采用 Vishay 先进的 TrenchFET® 技术，最大限度地减少开关损耗和导通损耗，性能卓越。集成的 MOSFET 栅极驱动器具有大电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的自举组件以及零电流检测功能，以提高轻负载下的效率。

Vishay SiC658A 是高性能集成功率级解决方案，针对同步降压应用进行了优化，可满足大电流、高效率和高功率密度的需求。这两款器件采用紧凑型 5 mm x 5 mm MLP 封装，每相可提供高达 50 A 的持续电流，是先进的电压调节器设计的理想之选。SiC658A 具有结温传感器，可提供直接的热保护。

SiC658A 还具有过流保护功能，当高边 FET 的电流超过限流值时，该器件将立即终止高边 FET 的导通状态，并同时开启低边 FET； SiC653A 提供热报警（THWn）信号，用于系统级的热管理。该器件支持 3.3 V 逻辑电平的三态 PWM。

特点

• 增强散热的 PowerPAK® MLP55-31L 封装， 5 mm x 5 mm
• 高达 1.5 MHz 的高开关频率
• 优化用于12 V 输入级的功率 MOSFET
• 零电流检测控制功能，可提高提高轻负载效率
• 低 PWM 传播延迟
• 欠压锁定保护和热保护
• 高边 FET 短路保护 (SIC658A)
• 提供 50 A 的持续电流

应用

应用包括 CPU、GPU 和内存的多相 VRD