PowerPAK® SO-8DC 封裝

Vishay TrenchFET® 頂側雙面冷卻MOSFET可進行頂側冷卻，另外還可在器件上的另一個位置實現熱傳遞。 這些MOSFET採用PowerPAK® SO-8DC封裝。 TrenchFET®雙面冷卻MOSFET包括可提供如下漏源擊穿電壓的型號：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。 這些N通道MOSFET的工作溫度範圍為-55°C至175°C。 TrenchFET MOSFET可用於各類特定產品應用，包括同步整流、直流/直流轉換、電源、電池管理等。

Vishay TrenchFET® 頂側雙面冷卻MOSFET

特點

• 小尺寸封装：6 mm x 5 mm x 0.61 mm
• 出色的 rdS（on）*Qg 和 rdS（on）*Qoss FoMs，適用於開關模式電源設計
• 高性能產品，提高功率轉換效率和功率密度
• SidrXXXeP：175 °C 結溫升級

應用

• 混合開關電容變換器           
• 同步整流
• 初級側開關
• DC/DC 轉換器
• OR-ing 和熱插拔開關
• 電源
• 電機驅動控制
• 電池管理

關鍵元件

SiDR680ADP \ SiDR626LDP \ SiDR510EP \ SiDR5802EP \ SiDR626EP \ SiDR402EP \ SiDR500EP 

優勢

PowerPAK® SO-8DC 封装具备双面散热设计，绝佳的FOM晶片性能并有工业级175℃选项

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