PowerPAK® SO-8DC 封装

Vishay TrenchFET® 顶侧双面冷却MOSFET可进行顶侧冷却，另外还可在器件上的另一个位置实现热传递。这些MOSFET采用PowerPAK® SO-8DC封装。TrenchFET®双面冷却MOSFET包括可提供如下漏源击穿电压的型号：25V、30V、40V、60V、80V、100V、150V和200V。这些N通道MOSFET的工作温度范围为-55°C至175°C。TrenchFET MOSFET可用于各类特定产品应用，包括同步整流、直流/直流转换、电源、电池管理等。

Vishay TrenchFET® 顶侧双面冷却MOSFET

特点

• 小尺寸封装：6 mm x 5 mm x 0.61 mm
• 出色的 rdS（on）*Qg 和 rdS（on）*Qoss FoMs，适用于开关模式电源设计
• 高性能产品，提高功率转换效率和功率密度
• SidrXXXeP：175 °C 结温升级

应用

• 混合开关电容变换器
• 同步整流
• 初级侧开关
• DC/DC 转换器
• OR-ing 和热插拔开关
• 电源
• 电机驱动控制
• 电池管理

关键元件

SiDR680ADP \ SiDR626LDP \ SiDR510EP \ SiDR5802EP \ SiDR626EP \ SiDR402EP \ SiDR500EP 

优势

PowerPAK® SO-8DC 封装具备双面散热设计，绝佳的FOM晶片性能并有工业级175℃选项

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