电动车充电是一个真正的全球性趋势，而充电器都需要以最有效的方式利用电能。对于每种类型的充电设施，在每种电压下，都需要高效的能量转换。这就显现了碳化硅为电动汽车充电带来的好处。
安森美开发的技术正在定义全球电动汽车充电基础设施。这包括其EliteSiC MOSFET模块，可提供350千瓦的功率水平，为电动汽车充电更快、更经济。 安森美基于碳化硅的功率模块已经得到了汽车行业领导者们的认可。这些模块现已投入生产，为电动汽车提供更长的续航里程、更高的效率和更快的加速。
先进的分立和模块化解决方案使牵引逆变器能够产生更高水平的扭矩。这个环节的高效能延长车辆的续航范围和电力驱动系统的寿命。
安森美的集成式单边直接冷却（SSDC）功率模块与同品牌的IGBT模块兼容，使用其第二代EliteSiC MOSFET，提供更高的性能和更高的效率，所有产品都有着安森美行业领先的质量保证。
- EliteSiC 组件
- 套件
- 解决方案
EliteSiC MOSFETs
安森美的碳化硅EliteSiC MOSFET产品组合被设计得强悍而坚固耐用。较之普通材料，碳化硅（SiC）MOSFET的介电击穿场强高出10倍，电子饱和速度高出2倍，能量差隙高出3倍，热导率高出3倍。
SiC二极管
安森美的碳化硅EliteSiC 二极管产品组合包括经AEC-Q101合格和PPAP合格的选项，专门为汽车和工业应用设计和认证。碳化硅EliteSiC 肖特基二极管采用了一种全新的技术，提供了比硅更优异的开关性能和更高的可靠性。
评估/开发套件
- SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB: 用于HEV 和BEV 应用的15W SiC 高压辅助电源
- SECO-GDBB-GEVB: Gate drivers plug-and-play ecosystem
- SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB: 用于HEV和BEV应用的40W SiC高压辅助电源
- SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB: 6 - 18 Vdc 输入隔离式 IGBT 栅极驱动器+15 V / -7.5 V / 7.5 V，汽车级的 NCV3064 控制器
- SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB: 6-18 Vdc 隔离式 SiC 栅极驱动器电源 +20V/-5V/5V，汽车级的 NCV3064 控制器评估板
Resources
Interview: Jon Harper
Watch our interview with onsemi SME, Jon Harper, while he talks about how SiC can be used, where SiC is best used and what SiC may bring to your application.
Webinar series
Learn about key challenges, trade-offs and compromises needed in building DC fast charging (DCFC) systems as well as how to design, build and validate DCFC systems using the onsemi SiC 25 kW module-based DCFC system ref design.
Video: Is this the right time to move to SiC?
Silicon Carbide is changing the way we control and convert power.
Video: Why does the world need SiC?
No matter how energy is generated or consumed, there's a universal need to change and control it.
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