製造商:
Vishay
SI4896DY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 9.5 A, 0.0165 ohm, SOIC, Surface Mount
替代料號:
SI4896DY-T1-E3
RoHS 10 Exempt
The SI4896DY-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
技術參數
- -55 to 150°C Operating temperature range
技術屬性
查找類似的料號|
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描述 | 值 |
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MSL 級別 | MSL 1 - Unlimited |
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最高工作溫度 | 150 |
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導通電阻測試電壓 | 10 |
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功率耗散 | 1.4 |
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連續漏極電流Id | 6.7 |
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漏源電壓Vds | 80 |
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漏源導通電阻 | 16.5 |
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電晶體外殼樣式 | SOIC |
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電晶體安装 | Surface Mount |
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引腳數 | 8 |
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通道類型 | N |
ECCN/UNSPSC
| 描述 | 值 |
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| ECCN: | EAR99 |
| 計劃交貨期 B: | 8541290080 |
| HTSN: | 8541290095 |