MMBTH10-4LT1G | onsemi 射頻雙極電晶體 | Avnet Asia Pacific

閒置警告對話框

您的階段作業因為閒置而即將逾時。按一下「確定」以延長您的時間 30 分鐘。

MMBTH10-4LT1G

Bipolar - RF Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23

MMBTH10-4LT1G | 射頻雙極電晶體 | onsemi
onsemi
製造商: onsemi
替代料號: MMBTH10-4LT1G
RoHS 10 Compliant
NCNR

This NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose VHF/UHF applications and is housed in the SOT-23 surface mount package. This device is ideal for low-power surface mount applications.

技術參數

  • Low rDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
  • Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
  • Pb-Free Package are Available. The G-Suffix Denotes a Pb-Free Lead Finish

技術屬性

查找類似的料號
描述
引腳數 3
過渡頻率 800
MSL 級別 MSL 1 - Unlimited
最高工作溫度 150
電晶體外殼樣式 SOT-23
最大集電極發射極電壓 25
電晶體安装 Surface Mount
功率耗散 225
直流電流增益hFE最小值 120
電晶體極性 NPN

ECCN/UNSPSC

描述
ECCN: EAR99
計劃交貨期 B: 8541210080
HTSN: 8541210095
全部清除 比較 (0/10)