制造商:
Vishay
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET Array, Dual N Channel, 60 V, 6.5 A, 41 mOhm, SOIC, 8 Pin
安富利制造商模型#:
SI4946BEY-T1-E3
RoHS 10 Compliant
NCNR
Obsolete
MOSFET Array, Dual N Channel, 60 V, 6.5 A, 41 mOhm, SOIC, 8 Pin
技术参数
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET® Power MOSFET
- 175°C Maximum Junction Temperature
- 100 % Rg Tested
- Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
技术特性
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描述 | 值 |
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最高工作温度 | 175 |
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引脚数 | 8 |
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漏源电压Vds N沟道 | 60 |
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沟道类型 | Dual N |
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漏源导通电阻N沟道 | 41 |
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功率耗散N沟道 | 3.7 |
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MSL 级别 | MSL 1 - Unlimited |
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连续漏极电流Id N沟道 | 6.5 |
ECCN / UNSPSC
| 描述 | 值 |
|---|---|
| ECCN: | EAR99 |
| 计划交货期 B: | PARTS... |
| HTSN: | PARTS... |