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STMicroelectronics

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STGAP – ガルバニック絶縁内蔵ゲートドライバ

STの充電ステーション向けソリューション

充電インフラも、電気自動車の配備にとって極めて重要な役割を果たします。充電インフラには、電力網から自動車へのエネルギー転送を確保するハードウェアとソフトウェアの全てが含まれます。家庭用ACチャージャは、一般的に限られた電力で動作し、長い充電時間がかかります。電気自動車の急速充電（最大1時間）には、約50kW以上の電力レートを備えたDC充電ステーション（200 ~ 800VDC）が必要です。
STは、シリコン/SiCパワーMOSFET、IGBT、シリコン/SiCダイオード、サイリスタ、プロテクション、ゲート･ドライバ、マイクロコントローラ、コネクティビティ/メーター用IC、およびマイクロコントローラを含む完全な製品ポートフォリオを提供できます。

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充電ステーションに最適なガルバニック絶縁内蔵ゲートドライバ STGAPシリーズをご紹介します。

STGAP ガルバニック絶縁内蔵ゲートドライバ

STが提供するSTGAPシリーズのMOSFETおよびIGBT用絶縁ゲートドライバは、システムの制御回路に接続する入力部分とMOSFETまたはIGBTを駆動する部分をガルバニック絶縁します。
ガルバニック絶縁は、オンチップの高電圧マイクロ･トランスによって実現しています。このトランスにより、グランドに対するフローティング回部部分との間でコマンドや診断情報を高い信頼性で確実に伝送できます。

STGAP1BS 自動車向けガルバニック絶縁内蔵シングルゲートドライバ

STGAP1BSは、高度な保護、診断機能を備えた、NチャネルMOSFETおよびIGBT用の自動車向けガルバニック絶縁シングルゲートドライバです。ゲートドライバは5 Aの能力を備え、負のゲートドライバ電源を使用できるレールツーレール出力を提供します。

仕様概要

最大1500Vの高電圧レール
5A シンク/ ソース電流
2段階ターンオフ
SPI設定機能およびデジタル診断機能
高ノイズ耐性：±50V/ns
入出力間伝播遅延：100ns
アクティブ･ミラーおよびVCEクランプ
UVLO/OVLO機能
過熱保護
保護機能の自己診断
AEC-Q100準拠
SO-24Wパッケージ

► 製品ページ（STGAP1BS)

評価ボード

EVALSTGAP1BSボードは、STGAP1BSのすべての機能を評価しながら、定格電圧最大1500Vのパワースイッチを駆動できます。STGAP1BSの能力を活用して、非常に高電圧のアプリケーションの評価が可能です

► 製品ページ（EVALSTGAP1BS)

STGAP2SiCD ガルバニック絶縁内蔵デュアルゲートドライバ

STGAP2SiCDは、各々のゲート駆動チャネルと低電圧制御、およびインタフェース回路間を、ガルバニック絶縁するSiC MOSFET用のデュアルゲートドライバです。4A駆動電流とレール･ツー･レール出力を有し、出力ピンが分離されているため、専用ゲート抵抗を使用したターンオンおよびターンオフを個別に最適化できます。

仕様概要

最大1500Vの高電圧レール
4A シンク/ ソース電流
高ノイズ耐性：±100V/ns
入出力間伝播遅延：75ns
ゲート駆動設定を簡素化する個別のシンク/ソース
オプション
4AミラーCLAMP
UVLO機能、過熱保護、インターロック機能
ゲート駆動電圧: 最大26V
TTL / CMOS入力: 3.3V / 5V（ヒステリシス付き）
スタンバイ機能
6kV ガルバニック絶縁
SO-36パッケージ

► 製品ページ（STGAP2SiCD)

評価ボード

EVALSTGAP2SICD は、STGAP2SiCD 絶縁型デュアルゲートドライバを評価するために設計されたハーフブリッジ評価ボードです。
このボードを使用すると、関連する外部コンポーネントの値を簡単に選択して変更できるため、さまざまな適用条件下でのドライバの性能評価と最終アプリケーションコンポーネントの微調整が容易になります。