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STMicroelectronics

2509 Main Title

IGBTおよびSiC MOSFET用の高度な車載向け絶縁ゲート・ドライバ

2509 Mixed Media - STGAP4S

STGAP4S

STGAP4Sは、高度な保護、構成、および診断機能を備えたIGBTおよびSiC MOSFET用のガルバニック絶縁シングル・ゲート・ドライバです。

STGAP4Sのアーキテクチャは、真のガルバニック絶縁により、チャネル・ゲート駆動を制御回路および低電圧インタフェース回路から絶縁します。ユニークな出力アーキテクチャは、外部MOSFETプッシュプル・ステージを使用できるように設計されており、電流能力の配分に柔軟性をもたらし、複数のパワースイッチの並列使用を容易にします。2つのプリドライバ出力は、そのトポロジに最適化された電流能力と出力電圧スイングを特徴とし、負ゲート駆動電源の使用を可能にします。

絶縁型フライバック電源用の内蔵コントローラにより、少ない外部コンポーネントで正負のゲート・ドライバ電源電圧を生成できるため、プリント基板の省スペース化を実現できます。

ミラー・クランプ・ドライバ、DESATおよび過電流検出、UVLO、OVLOなどの保護機能が搭載されており、高信頼性システムを簡単に設計できます。ドライバには温度センサが内蔵されています。オープン・ドレイン診断出力があり、SPIを通じて詳細なデバイスの状態を監視できます。各機能のパラメータはSPI経由でプログラムできるため、デバイスは非常に柔軟で、幅広いアプリケーションに対応できます。

2509 Long Copy - Features

特徴

  • AEC-Q100認定済み
  • ASIL Dまでのアプリケーションを対象としたISO 26262規格に準拠
    • 要望に応じて、ASIL Dまでのシステム設計をサポートするドキュメントを提供
    • 潜在故障検出のための組み込みチェック機能により、システムのASIL評価を容易化
  • 高電圧レール:最大1200V
  • 外部MOSFETバッファを直接駆動するための2つの出力ピン
  • ドライバ駆動電流:
    • OUT1:0.6 / 2.5 Aシンク / ソース
    • OUT2:2.4 / 0.6 Aシンク / ソース
  • 負のゲート駆動能力
  • dV / dt過渡耐性:全温度範囲で±100V/ns
  • 絶縁型フライバック電源用内蔵コントローラ
  • 外部NチャネルMOSFET用アクティブ・ミラー・クランプ・ドライバ
  • プログラム可能なDESAT検出
  • プログラム可能な過電流検出
  • ソフト・ターンオフ
  • VCEアクティブ・クランプ
  • 2つの診断ステータス出力
  • 各電源でプログラム可能なUVLOとOVLO
  • プログラム可能な入力デグリッチ・フィルタ
  • 非同期停止コマンド
  • 絶縁型8bit A/Dコンバータ
  • 温度センサを内蔵
  • プログラム可能なデッドタイム、違反エラー付き
  • パラメータ・プログラミングおよび拡張診断用のSPIインタフェース
  • 温度警告とシャットダウン保護

 

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STGAP4Sは、IGBTおよびSiC MOSFET用のガルバニック絶縁型シングルゲートドライバで、高度な保護機能、設定機能、診断機能を備えています。STGAP4Sのアーキテクチャは、チャネルゲート駆動回路を制御回路および低電圧インタフェース回路から真のガルバニック絶縁によって分離します。

2509 Long Copy - Quotation

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