GaN用ゲートドライバ STDRIVEG210/211

STDRIVEG210/211は、NチャネルエンハンスメントモードGaN用の高電圧ハーフブリッジゲートドライバです。

ハイサイドドライバ部は最大220Vの電圧レールに対応できるよう設計されており、内蔵ブートストラップダイオードから容易に電源を供給できます。
高電流能力、優れた遅延整合による短い伝搬遅延、そして内蔵LDOにより、STDRIVEG210/211は高速GaNの駆動に最適です。入力ピンの拡張範囲により、コントローラとのインターフェースが容易になります。スタンバイピンにより、非アクティブ期間またはバーストモード時の消費電力を削減できます。

STDRIVEG210は、高速起動と低消費電力のソフトスイッチングアプリケーション向けに設計された電源UVLOを搭載しています。また、ハードスイッチングを完全にサポートし、インターロック機能によりクロスコンダクション状態を回避します。ハイサイドレギュレータは、非常に短いウェイクアップ時間を特徴としており、間欠動作時のアプリケーション効率を最大化します。サーバや通信基地局の電源、バッテリ･チャージャ、アダプタ、太陽光発電システム用マイクロ･インバータ/オプティマイザ、LED照明、USB-C電源などの電力変換アプリケーションに適しています。

STDRIVEG211は、ハードスイッチングアプリケーション向けに設計された電源UVLO、クロスコンダクション状態を回避するインターロック、SmartSD対応の過電流コンパレータを備えています。
過電流検出およびスマート･シャットダウン機能を備えており、電源装置に加えて、電動工具や電動自転車、ポンプ、サーボなどのモータドライブアプリケーションに適しています。
 

特徴

• 最大定格レール電圧220V
• 高いdV/dt耐性 ±200V/ns
• 最適な駆動のためのシンクパス・ソースパスを分離したドライバー:
  • 2.4 A・1.2 Ω シンク
  • 1.0 A・3.7 Ω ソース
• 6Vゲート駆動用ハイサイド・ローサイドリニアレギュレータ(STDRIVE211のみ)
• 超高速ハイサイド起動時間: 300ns (STDRIVEG210)
• 高速ハイサイド起動時間: 5µs (STDRIVE211)
• 伝播遅延45 ns、最小出力パルス15ns
• 高いスイッチング周波数 (>1MHz)
• 組み込まれたブートストラップダイオード
• GaNハードスイッチング動作をフルサポート
• スマートシャットダウン機能付き過電流検出用コンパレータ(STDRIVE211のみ)
• VCC、VBO、VLSのUVLO機能
• 分離されたロジック入力とシャットダウンピン
• 過熱およびUVLOレポート用のFaultピン
• 低消費電力モードのスタンバイ機能
• ケルビンソース駆動と電流シャント互換性のための分離されたPGND
• ヒステリシスとプルダウンを備えた3.3 V～20 V対応入力
   

QFN 4x5x1mm
STDRIVEG210 / STDRIVEG211

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