車載向けSiC MOSFET

第3世代SiC MOSFET

現在、STのSiC MOSFETは第3世代の製品を拡充中です (VDSS=650, 750, 900, 1200V)。
STの第3世代SiC MOSFETは超低オン抵抗を備え、車載アプリケーションに最適な選択肢であり、電気自動車における走行距離の延長、システムのサイズ
および重量の最適化を可能にします。製品ポートフォリオは、650V、750V、900V、1200Vの広いBVDss電圧範囲に対応し、最も厳しい車載用規格および
工業規格に対応して設計された最先端のパッケージで提供されます。

動作温度範囲全体にわたる低オン抵抗に加え、低静電容量と非常に高速のスイッチング周波数を備えているため、効率の向上とシステムの小型軽量化の面で
アプリケーションの性能が向上します。第3世代SiC MOSFETは、ゲート･ソース間電圧15Vで駆動することもできます。

SiC MOSFET技術の進歩

車載向けSiC MOSFET製品ラインナップ（第３世代）の一部を下記に示します。

車載向けSiC MOSFET第３世代ラインナップ(抜粋)

上記のラインナップは一部となります。製品ラインナップにつきましては、SiC MOSFET製品概要 を参照下さい。
また、電力効率、電力密度、堅牢性を向上させる新たに第4世代の製品を開発中です。
詳細につきましては、ニュースリリース「第4世代製品ニュースリリース製品」を参照下さい。

パッケージ

車載用の厳しい要件を満たすよう設計された最先端のパッケージ･オプション（HiP247、H2PAK-7、TO-247ロング･リード、HU3PAK、
およびSTPAKなど）があります。

                                HiP247                                                         H2PAK-7                                             TO-247ロング・リード

・HU3PAK
表面より放熱するパッケージで、表面より直接ヒートシンクに接続が可能です。ケルビンソースピンを有し、高効率の実現が可能です。

                                                   
                                                                                                     HU3PAKパッケージ                                                      

・STPACK
底面に直接ヒートシンクが接続でき、高い放熱特性を持つパッケージです（Tj(max)=200℃）。
お客様におけるモジュール設計に適しております。また、ケルビンソースピンを有し、高効率の実現が可能です。

                                                             
                                                                                                     STPACKパッケージ                               

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