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Infineon

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TRENCHSTOP™ IGBT7

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英飞凌全新的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 和 EC7 二极管技术基于新型微模式沟槽技术，可大幅降低损耗，并提供高度可控性。

该芯片专为工业驱动应用而优化，这意味着更低的静态损耗， 更高的功率密度和更柔和的切换。 另外，通过提高允许的最大操作 在功率模块中温度高达175°C，输出电流可以增加高达40%。

应用

  • 驱动
  • 工业机器人
  • 商用空调
  • 商用，工程应用或农用车辆(CAV)

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特点

  • 低通态电压 VCE(sat) 和 Vf
  • 过载时，Tvj op=175°C
  • 增强 dv/dt 可控性
  • 优化开关损耗dv/dt = 5kV/µs
  • 8 μs  短路性能
  • 改进 FWD 软度


产品优势

  • Higher power density due to use of smaller power modules (e.g. 25A PIM in Easy1B)
  • Low losses to meet energy efficiency requirements
  • Optimised trade-off between losses and EMI
  • Lower system cost

 

框图

Infineon's new 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7