CoolGaN 600 V增强型HEMT
最新发布的CoolGaN 600 V增强型HEMT采用可靠的常闭概念，它经专门优化，可实现快速开通和关断。它们可在开关模式电源（SMPS）中实现高能效和高功率密度，其优值系数（FOM）在当前市场上的所有600 V器件中首屈一指。CoolGaN开关的栅极电荷极低，且具有极少输出电容，可在反向导通状态下提供优异的动态性能，进而大幅提高工作频率，从而通过缩小被动元器件的总体尺寸，提高功率密度。 英飞凌CoolGaN 600 V增强型HEMT在功率因数校正（PFC）变流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可达到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在谐振拓扑中，CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。
CoolGaN 600 V增强型HEMT可提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封装，确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品，英飞凌旨在支持高频运行的应用，如企业级超大规模数据中心服务器、通信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。
氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER IC）
新推出的氮化镓开关管驱动芯片EiceDRIVER IC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增强型HEMT的完美搭档。它们经专门研发，以确保CoolGaN开关实现强健且高效的运行，同时最大限度地减少工程师研发工作量，加快将产品推向市场。
不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC，这个针对英飞凌CoolGaN量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压，以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内，GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响，哪怕是首脉冲，这对于SMPS实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率，几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效，大大缩短研发周期。它集成了电隔离，可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在SMPS一次侧和二次侧之间提供保护，并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。
主要特性
- 最可靠的基于GaN的解决方案，在所有可用的GaN器件中提供最高性能
- 为供应链中每一环节提供专业制造知识
- 支持全球应用设计
- 广泛的产品组合，包括交换机和驱动
应用
- 服务器
- 电信
- 适配器和充电器
- 无线充电
- D类音频