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Infineon

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CIPOS™ Maxi碳化硅智能功率模块IM828-XCC

 

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高性能CIPOS™ Maxi传递成型碳化硅IPM

英飞凌将一个经优化的6通道 1200 V SOI栅极驱动器和6颗CoolSiC™ MOSFET集成到 DIP 36X23D封装中,推出全球首个1200 V传递成型碳化硅(SiC)智能功率模块(IPM)。这个CIPOS™ Maxi 家族的新成员瞄准变速驱动应用,如工业电机、泵和HVAC,可助力轻松将碳化硅(SiC)技术集成到电机电源设计中。

IM828-XCC集成6颗CoolSiC™ MOSFET和一个经优化的1200 V 6信道SOI栅极驱动器,可提高可靠性,提供卓越的保护,优化PCB尺寸和系统成本。

这个 IPM采用1200 V级别最小巧、最紧凑的封装,兼具 8 kW以上额定功率和优异的功率密度、可靠性和性能。它可提供卓越的保护,如所有通道均实现欠压闭锁、触发保护时所有开关器件均关闭、防跨导 、过流关断、温度监测等。

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特性

  • 采用DCB的全隔离双列直插式成型模块
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • 坚固耐用的1200 V SOI栅极驱动器技术
  • 集成自举功能
  • 过流关断
  • 所有通道均实现欠压闭锁
  • 触发保护时6个开关器件全部关闭
  • 防跨导
  • 可承受的负电压VS高达-11 V,以实现信号传输VBS=15 V
  • 低边发射极引脚可供使用

目标应用

  • 三相PFC
  • 面向HVAC的有源滤波器(有源功率因素校正)
  • 低功率通用驱动器(GPI、伺服驱动)

优势

  • 最小封装尺寸1200 V级别IPM,可实现很高功率密度和出色性能
  • 更加坚固耐用的栅极驱动器技术,可提供卓越的保护
  • 高能效,最高可达99%
  • 开关速度范围大,最高可达80 kHz
  • 针对快速开关应用而改良,降低功率损耗
  • 简化设计和生产

 

 

 

 

 


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框图

Infineon CIPOS™ Maxi SiC IPM IM828-XCC

     内部电气原理图