高性能CIPOS™ Maxi传递成型碳化硅IPM
英飞凌将一个经优化的6通道 1200 V SOI栅极驱动器和6颗CoolSiC™ MOSFET集成到 DIP 36X23D封装中,推出全球首个1200 V传递成型碳化硅(SiC)智能功率模块(IPM)。这个CIPOS™ Maxi 家族的新成员瞄准变速驱动应用,如工业电机、泵和HVAC,可助力轻松将碳化硅(SiC)技术集成到电机电源设计中。
IM828-XCC集成6颗CoolSiC™ MOSFET和一个经优化的1200 V 6信道SOI栅极驱动器,可提高可靠性,提供卓越的保护,优化PCB尺寸和系统成本。
这个 IPM采用1200 V级别最小巧、最紧凑的封装,兼具 8 kW以上额定功率和优异的功率密度、可靠性和性能。它可提供卓越的保护,如所有通道均实现欠压闭锁、触发保护时所有开关器件均关闭、防跨导 、过流关断、温度监测等。
特性
- 采用DCB的全隔离双列直插式成型模块
- 1200 V CoolSiC™ MOSFET
- 坚固耐用的1200 V SOI栅极驱动器技术
- 集成自举功能
- 过流关断
- 所有通道均实现欠压闭锁
- 触发保护时6个开关器件全部关闭
- 防跨导
- 可承受的负电压VS高达-11 V,以实现信号传输VBS=15 V
- 低边发射极引脚可供使用
目标应用
- 三相PFC
- 泵
- 面向HVAC的有源滤波器(有源功率因素校正)
- 低功率通用驱动器(GPI、伺服驱动)
优势
- 最小封装尺寸1200 V级别IPM,可实现很高功率密度和出色性能
- 更加坚固耐用的栅极驱动器技术,可提供卓越的保护
- 高能效,最高可达99%
- 开关速度范围大,最高可达80 kHz
- 针对快速开关应用而改良,降低功率损耗
- 简化设计和生产
框图

内部电气原理图