以高速储存架构驱动物理 AI 发展

Gartner 将物理 AI 列为 2026 年十大策略性技术趋势之一。不同于传统 AI 仅在数字环境中进行分析与决策，物理 AI 进一步将智慧能力带入真实世界，使机器能够感知环境、理解信息，并自主执行复杂任务。

从自主移动机器人（AMR）、无人机，到智能制造设备与物流系统，物理 AI 正加速推动各产业自动化发展。Gartner 更预测，到 2028 年，制造、零售及物流产业中的智慧机器人数量将超越第一线工作人员，成为未来智慧营运的重要核心。

随着 AI 模型规模持续扩大，系统需要处理来自传感器、影像设备及各类边缘装置的大量数据，因此对运算平台的数据传输与储存能力提出更高要求。高速光模块与互连技术已成为 AI 数据中心、自主机器人及智能制造系统的关键基础设施，确保 GPU、AI 加速器、储存系统与网络设备之间能够快速交换数据。

在这些 AI 应用环境中，储存装置必须同时兼顾高速效能、数据完整性与长期可靠性。Transcend UTE210T U.2 SSD 采用 PCIe Gen4 x4 接口、112-layer 3D NAND 闪存、8 通道控制器及 DDR4 DRAM 快取，读取速度最高可达 7,400 MB/s，写入速度最高可达 6,600 MB/s，可有效支持 AI 训练、推论运算及高速数据存取需求。

此外，UTE210T 内建 Power Loss Protection（PLP）断电保护机制、抗硫化电阻设计、动态热能管理与类温度支持，即使在长时间高负载运作或严苛环境下，仍能维持稳定效能与数据安全。无论应用于 AI 服务器、高速光通讯设备、自主机器系统或高效能运算平台，UTE210T 都能为新一代 物理 AI 提供可靠的储存支持。

特点

• PCIe Gen4 x4 NVMe 高速接口
• 最高可达 7,400 MB/s 读取速度与 6,600 MB/s 写入速度
• 随机读取效能最高达 630K IOPS，随机写入最高达 460K IOPS
• 采用 112-layer 3D NAND 闪存
• 内建 DDR4 DRAM 快取，加速数据存取效率
• 断电保护 (PLP) 技术
• 动态热能管理机制
• 采用抗硫化电阻，抵御外在环境的硫化威胁
• 支持 -20°C 至 75°C 类宽温运作
• 可选配 -40°C 至 85°C 宽温版本
• 容量最高可达 8TB

应用

• 物理 AI 系统
• 自主移动机器人（AMR）
• AI 训练与推论服务器
• 光模块与高速互连设备
• AI 数据中心
• 智能制造系统
• 高效能运算（HPC）
• 高分辨率影像与感测数据处理

关键元件

• 112-layer 3D NAND 闪存
• PCIe Gen4 x4 NVMe 接口
• 8 信道控制器
• 内建DDR4 DRAM高速缓存
• 断电保护 (PLP) 功能，避免因意外断电而丢失数据
• 采用抗硫化电阻，抵御外在环境的硫化威胁
• 动态热能管理机制
• 内建温度传感器
• 内建LDPC ECC自动纠错功能
• 支持垃圾数据回收机制
• 支持全区平均抹写及故障区块管理，增加可靠度
• 支持 TRIM 指令
• 支持NCQ指令
• 支持S.M.A.R.T.监控功能，执行装置健康监测、分析与报告
• AES进阶加密标准，可于硬件层面完整加密硬盘 (客制功能)
• 类宽温与宽温支持
• 支持NVM指令
• 符合RoHS 2.0规范
• 符合NVM Express 1.4规范
• 符合PCI Express 4.0规范
• 耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)

优势

• 加速 AI 模型训练与推论运算效率
• 满足高速光互连架构的大量数据传输需求
• 提升 AI 关键工作负载的储存可靠性
• 于突发断电情况下保护重要数据
• 在高温与严苛环境中维持稳定运作
• 提升系统可用性与整体运算效能
• 支持自主机器与 AI 数据中心扩充需求
• 降低数据密集型 AI 应用的存取延迟