DDR5-5600 R-DIMM 記憶體模組 – 驅動車載 AI 運算的核心動能
打造 AI 驅動車載系統的高速、高穩定性記憶體解決方案。
Transcend 創見 TS4GAR80V6E DDR5-5600 R-DIMM 具備高速傳輸與卓越穩定性，適合車載 AI 與電動車應用。其高可靠度、節能效能與廣溫運作能力，為新世代智慧車輛提供強勁的運算支援。
隨著汽車產業邁向智慧化與電動化，高效能記憶體在 AI 驅動的車載應用中扮演關鍵角色，包括自動駕駛、ADAS 高階駕駛輔助系統以及車載資訊娛樂平台。
Transcend 創見 TS4GAR80V6E DDR5-5600 R-DIMM 適用此類高運算需求環境設計，具備極高速資料傳輸率、先進錯誤校正機制，以及類寬溫運作能力，確保在嚴苛車用條件下依然穩定運行。
該模組符合 JEDEC 標準，結合低功耗與高效能特性，為車用 AI 系統提供長期穩定且高可靠度的運算支援。
特點
- DDR5-5600 R-DIMM 記憶體模組
- 32GB 容量，288-pin 設計
- 標準溫度範圍：0°C ~ 95°C
- 30µ”金手指鍍金印刷電路板，提升耐用度與訊號完整性
- 低電壓 1.1V 運作，兼顧高效能與節能表現
- 符合 JEDEC 標準，支援 ECC 錯誤修正
- 抗硫化設計，確保長期穩定運作
應用
- 高階駕駛輔助系統（ADAS）
- 自動駕駛控制平台
- 車用資料記錄系統
- 車載資訊娛樂（IVI）系統
- 車載邊緣 AI 運算裝置
關鍵元件
- DDR5-5600 高速記憶體架構
- 2Rx8 雙列配置，32GB 高容量
- 極速效能，支援 AI 資料密集型運算
- 獨立雙通道傳輸設計
- 內建 PMIC 電源管理晶片（Power Management IC）
- 晶片內建 ECC 錯誤修正機制（On-die ECC）
- R-DIMM 緩衝結構，強化資料傳輸穩定性
- 先進 ECC 錯誤校正功能
- 抗硫化電阻設計，提升環境耐受度
- 30µ” 鍍金印刷電路板，確保訊號品質與壽命
- 類寬溫運作（0°C 至 95°C）
- 符合 JEDEC 與 RoHS 2.0 標準
優勢
- 在嚴苛車用環境中保持穩定可靠運作
- 支援即時 AI 運算與高速資料處理
- 內建電源管理功能，有效降低功耗
- ECC 錯誤修正確保資料完整性與系統穩定性
- 為車用嵌入式系統提供長期高效能運算保障
