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宽能隙技術

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寬帶隙半導體

邁向更節能世界的下一個關鍵步驟是使用新材料，如寬帶隙半導體（WBG），新材料可以提高電源效率、減小產品尺寸和重量、降低系統成本，或同時實現所有這些優點。意法半導體提供豐富的碳化矽 MOSFET產品和技術組合，以及氮化鎵基（增強型HEMT）器件，涵蓋裸片、分立器件，以及屬於STPOWER系列的模組。

碳化矽（SiC） 具有3電子伏特（eV）的能帶間隙和比矽（Si）高得多的熱導率。碳化矽基MOSFET最適合高電壓和高功率應用，因為它們將高功率密度與更高的開關性能（相對於矽）相結合。我們廣泛的SiC MOSFET產品組合確保開發人員能夠從我們的G1器件中找到完美匹配其設計要求的器件，這些G1器件具有非常穩定的通態電阻RDS(on)（無論溫度如何變化）和我們最新G3 SiC MOSFET的高速開關特性。這意味著更嚴格的設計餘量，可以提高設計性能。我們的碳化矽MOSFET（650 - 2200 V）非常適合工業和汽車應用，比如牽引逆變器、車載充電器和快速充電站、DC-DC轉換器、高端PFC、SMPS和輔助電源如UPS，以及太陽能逆變器、焊接設備和工業驅動。STPOWER SiC MOSFET也可採用各種分立封裝和採用裸晶片形式。
WBG系列的另一位元成員矽基氮化鎵（GaN/Si）具有更高的能帶間隙（3.4 eV）和比碳化矽本身高很多的電子遷移率。與矽相比，其擊穿電場高十倍，電子遷移率是兩倍。輸出電荷和柵極電荷都比矽低十倍，反向恢復電荷幾乎為零，這對於高頻操作（特別是在橋接拓撲結構中）非常重要。GaN廣泛應用于各種各樣的現代諧振拓撲中，幫助設計人員獲得比現有技術高很多的效率。憑藉其優異的性能，GaN HeMT（高電子遷移率電晶體）將廣泛應用於電動汽車，以及電壓範圍在100 V、650 V和 900 V 之間的工業、電信和特定消費應用。

STPOWER SiC 和GaN 功率電晶體代表了從矽基產品向更高效率產品的優化反覆運算，減少了器件尺寸，因此契合“使我們的環境更綠色和更‘令人愉快’”的崇高目標。

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STPOWER 碳化矽 MOSFET & 碳化矽二極體

STPOWER SiC MOSFETs 和二極體 的創新型寬頻隙材料（WBG）的優勢可以提升您的下一代設計。自2014年開始量產以來，意法半導體的SiC MOSFET提供擊穿電壓範圍（從650 - 1700 V，在不久的將來會更高），並採用最先進的工藝技術（具有優良開關特性），具有單位面積下極低的導通電阻RDS(on) 和業界出色的品質因數（FoM）。由於意法半導體碳化矽專家們的潛心鑽研，並配備先進設備，可以使ST SiC MOSFET達到高品質（幾乎可與傳統矽技術相媲美）。意法半導體的SiC MOSFET將使得您的設計產品比以往任何時候更高效更緊湊。

意法半導體碳化矽二極體的電壓範圍為600V 到1200V，採用單管和雙管，封裝尺寸從DPAK到TO-247，包括陶瓷絕緣型TO-220。此外，意法半導體運用創新型封裝（例如超薄的緊湊型PowerFLAT 8x8）技術不斷擴大產品範圍。該系列器件具有優異的熱導率，具備高電壓（HV）表面貼裝（SMD）的特性，可用於650 V碳化矽二極體（4 A - 10 A）。

STPOWER 碳化矽 MOSFET和碳化矽二極體的主要特點和優勢包括：

碳化矽 MOSFETs	碳化矽二極體
符合工業級和汽車級的器件超高溫處理能力（最高Tj = 200 °C）極低的開關損耗（隨溫度變化影響最小）,允許工作在非常高的開關頻率在溫度範圍內具有低導通電阻易於驅動穩定的超快速本體二極體經認證的7年長期供貨計畫，為客戶的設計投資確保選定的器件至少7年（從通知日期起）內均可供貨。	符合工業級和汽車級的器件超高溫處理能力（最高Tj = 175 °C）具有超低正向壓降（VF）：650 V（1.45 V – 1.75 V）& 1200 V（1.5 V）極低的開關損耗（隨溫度變化影響最小），允許工作在非常高的開關頻率

碳化矽 MOSFETs

碳化矽二極體