宽带隙半导体

迈向更节能世界的下一个关键步骤是使用新材料，如宽带隙半导体(WBG) ，新材料可以提高电源效率、减小产品尺寸和重量、降低系统成本，或同时实现所有这些优点。意法半导体提供丰富的碳化硅(MOSFET）产品和技术组合，以及氮化镓基（增强型HEMT）器件，涵盖裸片、分立器件，以及属于 STPOWER 系列的模块。

• 碳化硅 (SiC) 具有3电子伏特(eV) 的能带间隙和比硅(Si) 高得多的热导率。碳化硅基MOSFET最适合高电压和高功率应用，因为它们将高功率密度与更高的开关性能（相对于硅）相结合。我们广泛的SiC MOSFET产品组合确保开发人员能够从我们的G1器件中找到完美匹配其设计要求的器件，这些G1器件具有非常稳定的通态电阻RDS(on)（无论温度如何变化）和我们最新G3 SiC MOSFET的高速开关特性。这意味着更严格的设计余量，可以提高设计性能。我们的碳化硅MOSFET(650 - 2200 V) 非常适合工业和汽车应用，比如牵引逆变器、车载充电器和快速充电站、DC-DC转换器、高端PFC、SMPS和辅助电源如UPS，以及太阳能逆变器、焊接设备和工业驱动。STPOWER SiC MOSFET也可采用各种分立封装和采用裸晶片形式。
   
• WBG系列的另一位成员硅基氮化镓(GaN/Si) 具有更高的能带间隙(3.4 eV) 和比碳化硅本身高很多的电子迁移率。与硅相比，其击穿电场高十倍，电子迁移率是两倍。输出电荷和栅极电荷都比硅低十倍，反向恢复电荷几乎为零，这对于高频操作（特别是在桥接拓扑结构中）非常重要。GaN广泛应用于各种各样的现代谐振拓扑中，帮助设计人员获得比现有技术高很多的效率。凭借其优异的性能，GaN HeMT（高电子迁移率晶体管）将广泛应用于电动汽车，以及电压范围在100 V、650 V和 900 V 之间的工业、电信和特定消费应用。

STPOWER SiC和GaN 功率晶体管代表了从硅基产品向更高效率产品的优化迭代，减少了器件尺寸，因此契合“使我们的环境更绿色和更‘令人愉快’”的崇高目标。