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安森美标准产品:领导低位、高品质、大规模

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安森美标准产品系列将互补集成电路与保护及信号分立器件相结合,可缩小设计尺寸、强化接口,为汽车、工业和消费类系统提供高效可靠的性能。除LDO稳压器、放大器、逻辑器件、EEPROM和隔离器件外,产品组合还涵盖齐纳二极管、ESD/浪涌保护器件、肖特基二极管及标准整流器、双极晶体管/双极晶体管-晶体管、结型场效应管、晶体管-晶体管-晶体管、 达林顿管、射频分立器件及电磁干扰滤波器。产品提供微型封装选项(最小尺寸约0.62×0.32 mm²及1.0×0.6 mm²),配备低钳位ESD阵列(含最大插入损耗保证选项),并推出针对Vf/IF优化的肖特基二极管——包括业界首创的01005封装500mA/30V型号。

工程师可组合运用这些器件实现更快速的开发与更少的元器件:BRT集成偏置功能(17种电阻组合),CCR提供无开关EMI的恒流LED驱动,低Miller效应JFET确保射频放大器稳定性,EMI滤波阵列则为单端线路提供高衰减与卓越的钳位性能。依托Treo平台,该系列提供超过170种封装的6,000余种型号,通过标准化互操作性模块化组件,简化采购流程的同时满足汽车、工厂及消费电子设备对能效、稳健性和接口保护的全面需求。

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晶体管

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安森美半导体晶体管系列——双极晶体管、双极晶体管、结型场效应管和达林顿管——覆盖约10至800伏电压范围,提供>10安培选项,具备低饱和漏极电压、强增益系数及高静电放电耐受性,可在汽车、工业和消费类系统中实现高效驱动与强健开关。集成偏置BRT(单/双通道共17种电阻组合)可减少物料清单和面积;低米勒效应JFET(~10-40V)可稳定射频放大器;NPN/PNP达林顿管(~30-400V, Ic ~0.3–50 A,增益达~30,000) 简化驱动方案——使双极晶体管在适宜工作点成为MOSFET的经济替代方案,Treo平台可加速选型与设计周期。

Transistors product categories

产品组合


双极晶体管 (BJTs)

  • 10 V至800 V
  • 最小封装尺寸1.0 x 0.6 mm²
  • 音频与功率器件支持>10 A​
  • 提供低饱和压降器件​
    • MOSFET的经济型替代方案
    • 等效导通电阻RDSON达30 mΩ
    • 高静电放电耐受性​

BRT系列

  • 集成偏置电阻的双极晶体管​
  • 节省成本与电路板空间​
  • 17种电阻组合方案​
  • 单通道与双通道​
  • 提供逾350种选项!

JFETs

  • 10V至40V电压范围
  • 最小封装尺寸1.0 x 0.6 mm²
  • 低米勒电容
  • 精选器件专为射频放大器优化
  • 提供50余种器件可选
 

Transistors parts table

产品系列


类别 描述 联系我们
BRTs / Digital Transistors 集成偏置数字晶体管(BRT)将单路和双路偏置电阻整合于一体,有效降低汽车和工业设计中的物料清单成本及电路板空间占用,实现高效开关控制。 请联络我们已获取报价和技术资料
BJTs (General Purpose) 涵盖平衡增益、低噪声及高可靠性的双极结型晶体管系列,适用于多领域模拟开关与放大任务
Power BJTs 专为强劲功率开关与放大设计的BJT,支持高达800V电压及>10A电流,适用于工业、汽车及消费类电源控制
Low Vcesat BJTs 针对低集电极-发射极饱和电压优化的BJT,提升开关与放大电路的效率及热性能
JFETs 低米勒电容JFET(约10-40V)适用于严苛环境下的稳定射频放大器设计及抗噪模拟前端。
MMICs, RF Transistors 射频晶体管与单片微波集成电路(MMIC)专为高频信号放大及射频通信应用设计。
All Transistors 完整的安森美晶体管产品组合涵盖双极晶体管、双极栅极晶体管、结型场效应管、达林顿管及射频晶体管,并通过Treo平台工具实现高效选型与设计。