安森美标准产品系列将互补集成电路与保护及信号分立器件相结合,可缩小设计尺寸、强化接口,为汽车、工业和消费类系统提供高效可靠的性能。除LDO稳压器、放大器、逻辑器件、EEPROM和隔离器件外,产品组合还涵盖齐纳二极管、ESD/浪涌保护器件、肖特基二极管及标准整流器、双极晶体管/双极晶体管-晶体管、结型场效应管、晶体管-晶体管-晶体管、 达林顿管、射频分立器件及电磁干扰滤波器。产品提供微型封装选项(最小尺寸约0.62×0.32 mm²及1.0×0.6 mm²),配备低钳位ESD阵列(含最大插入损耗保证选项),并推出针对Vf/IF优化的肖特基二极管——包括业界首创的01005封装500mA/30V型号。
工程师可组合运用这些器件实现更快速的开发与更少的元器件:BRT集成偏置功能(17种电阻组合),CCR提供无开关EMI的恒流LED驱动,低Miller效应JFET确保射频放大器稳定性,EMI滤波阵列则为单端线路提供高衰减与卓越的钳位性能。依托Treo平台,该系列提供超过170种封装的6,000余种型号,通过标准化互操作性模块化组件,简化采购流程的同时满足汽车、工厂及消费电子设备对能效、稳健性和接口保护的全面需求。
产品系列
| 类别 | 描述 | 联系我们 |
|---|---|---|
| BRTs / Digital Transistors | 集成偏置数字晶体管(BRT)将单路和双路偏置电阻整合于一体,有效降低汽车和工业设计中的物料清单成本及电路板空间占用,实现高效开关控制。 | 请联络我们已获取报价和技术资料 |
| BJTs (General Purpose) | 涵盖平衡增益、低噪声及高可靠性的双极结型晶体管系列,适用于多领域模拟开关与放大任务 | |
| Power BJTs | 专为强劲功率开关与放大设计的BJT,支持高达800V电压及>10A电流,适用于工业、汽车及消费类电源控制 | |
| Low Vcesat BJTs | 针对低集电极-发射极饱和电压优化的BJT,提升开关与放大电路的效率及热性能 | |
| JFETs | 低米勒电容JFET(约10-40V)适用于严苛环境下的稳定射频放大器设计及抗噪模拟前端。 | |
| MMICs, RF Transistors | 射频晶体管与单片微波集成电路(MMIC)专为高频信号放大及射频通信应用设计。 | |
| All Transistors | 完整的安森美晶体管产品组合涵盖双极晶体管、双极栅极晶体管、结型场效应管、达林顿管及射频晶体管,并通过Treo平台工具实现高效选型与设计。 |
