安森美半導體的標準產品系列整合互補式積體電路與保護及訊號離散元件，能縮小設計體積、強化介面韌性，並為汽車、工業及消費性系統提供高效可靠的性能表現。產品組合涵蓋穩壓器、放大器、邏輯元件、EEPROM及隔離元件，並包含齊納二極體、ESD/突波保護元件、肖特基與標準整流器、雙極性晶體管/雙極性整流器、電場效應晶體管、電流調節器、達林頓電路、射頻分立元件及電磁干擾濾波器，最小封裝尺寸可達約0.62×0.32 mm²與約1.0×0.6 mm²，具備微型化選項。達林頓電路、射頻分立元件及電磁干擾濾波器。提供微型化封裝選項（最小尺寸約0.62×0.32 mm²及1.0×0.6 mm²），具備保證最大插入損耗的低壓閘極電容ESD陣列，以及針對Vf/IF調校的肖特基二極體——包含業界首創的01005尺寸約500 mA/30 V規格選項。
工程師可組合運用這些元件加速開發並減少零件數量：BRT整合偏壓功能（17種電阻組合）、CCR提供無切換EMI的恆流LED驅動、低米勒效應JFET確保射頻放大器穩定性，而EMI濾波陣列則為單端線路提供高衰減與卓越的電壓閘斷性能。憑藉Treo平台支援的逾170種封裝、超過6,000個型號，各專案皆採用可互通的標準化模組化元件，不僅簡化採購流程，更能滿足車輛、工廠及消費性電子產品在效率、穩健性與介面保護方面的目標。
安森美半導體晶體管系列——雙極型晶體管、雙極型晶體管、結型場效應晶體管及達林頓電路——涵蓋約10至800伏特電壓範圍，提供超過10安培電流選項，具備低飽和電位差、強效增益係數及高靜電放電耐受性，可為汽車、工業與消費性系統提供高效驅動與穩健切換效能。整合偏壓雙極型晶體管（單片與雙片共17種電阻組合）可降低物料清單成本與面積；低米勒效應電位差晶體管（約10–40 V）能穩定射頻放大器；NPN/PNP達林頓電路（約30–400 V， Ic ~0.3–50 A，增益達~30,000) 簡化驅動——使雙極電晶體成為特定工作點下具成本效益的MOSFET替代方案，Treo平台更可加速選型與設計週期。
Portfolios
| 类别 | 產品描述 | 聯絡我們 |
|---|---|---|
| BRTs / Digital Transistors | 整合偏壓數位電晶體（BRTs）結合單路與雙路偏壓電阻，有效降低汽車與工業設計中的物料清單成本及電路板空間需求，實現高效切換。 | 請聯絡我們以獲取報價與技術支援 |
| BJTs (General Purpose) | 廣泛的雙極接合電晶體產品組合，具備平衡增益、低雜訊與高可靠性，適用於多領域應用中的各類類比開關與放大任務 | |
| Power BJTs | 專為強健功率開關與放大設計的高電流高電壓雙極接合電晶體，支援高達800V電壓與>10A電流，適用於工業、汽車及消費性產品的功率控制 | |
| Low Vcesat BJTs | 專為降低集電極-發射極飽和電壓而設計的雙極接合電晶體，可提升開關與放大電路的效率及熱性能 | |
| JFETs | 低米勒電容JFET（約10–40V），適用於嚴苛環境下的穩定射頻放大器設計及抗噪類比前端。 | |
| MMICs, RF Transistors | 射頻晶體管與單片微波積體電路（MMIC），專為高頻訊號放大與射頻通訊應用設計。 | |
| All Transistors | 完整的安森美晶體管產品組合涵蓋雙極性晶體管、雙極性晶體管、電容效應晶體管、達林頓電路及射頻晶體管，並透過Treo平台工具提供高效選型與設計支援。 |