閘極驅動器

在高功率（>2.5kW）應用中，閘極驅動器的隔離是一個重要的安全特性。它可以實現兩個完全電子隔離的電路之間的通訊。

電氣隔離可以提供高電壓級別的隔離，同時也可以消除地線回路。結面隔離只提供兩個電路之間的高電壓隔離，但沒有實現完全的電子隔離。

效率在所有應用中都很重要，但在高功率應用中尤其重要。100W的負載在95%的效率下會損失5W的功率，而100kW的負載在同樣的效率下會損失5kW的功率。為了提高效率，我們需要選擇合適的閘極驅動器來搭配SiC MOSFET，從而減少導通損失和開關損失。合適的閘極驅動器可以使SiC MOSFET的導通損失和開關損失分別降低25%以上。不同類型的MOSFET和IGBT對閘極電壓範圍有不同的要求，例如矽MOSFET通常需要0V到10V，而IGBT通常需要0V到15V。onsemi的EliteSiC MOSFET可以適應不同的門電壓範圍，如0V到15V、0到18V和-3到18V，這些範圍對效率有不同的影響（見下圖）。