门驱动器

在高功率（>2.5kW）应用中，门驱动器的隔离是一个重要的安全特性。它可以实现两个完全电子隔离的电路之间的通信。

电气隔离可以提供高电压级别的隔离，同时也可以消除地线回路。结隔离只提供两个电路之间的高电压隔离，但没有实现完全的电子隔离。

效率在所有应用中都很重要，但在高功率应用中尤其重要。100W的负载在95%的效率下会损失5W的功率，而100kW的负载在同样的效率下会损失5kW的功率。为了提高效率，我们需要选择合适的门驱动器来搭配SiC MOSFET，从而减少导通损失和开关损失。合适的门驱动器可以使SiC MOSFET的导通损失和开关损失分别降低25%以上。不同类型的MOSFET和IGBT对门电压摆幅有不同的要求，例如硅MOSFET通常需要0V到10V，而IGBT通常需要0V到15V。onsemi的EliteSiC MOSFET可以适应不同的门电压摆幅，如0V到15V、0到18V和-3到18V，这些摆幅对效率有不同的影响（见下图）。