EliteSiC電動汽車充電解決方案

用於電動汽車充電的碳化矽和碳化矽/矽混合模組

安森美半導體提供最全面的功率集成模組（PIM）產品組合，可以支援市場上的主要拓撲結構，使設計人員能夠靈活地為直流快充或儲能系統應用中的功率轉換級選擇最理想的PIM。為了加快設計週期，設計人員可以通過我們的自助式PLECS模型生成器創建先進的分段線性電路模擬（PLECS）模型，並使用該產品組合的Elite Power Simulator進行應用模擬。

對於每個模組，安森美都使用來自同一個晶圓的裸片，以確保更高的一致性和可靠性，因此設計人員不必使用來自不同供應商的分立器件，因為使用不同品牌的分立器件可能會導致性能不一致。除了可靠性之外，該模組組合還具有以下優勢：
 

• 採用第三代M3S SiC MOSFET技術，提供業界最低的開關損耗和最高的效率
• 支援主要拓撲結構，如多電平T型中性點鉗位（TNPC）、半橋和全橋拓撲等
• 支持從25kW到100kW的可擴展輸出功率，適用於包括雙向充電在內的多種直流快充和儲能系統平臺
• 符合行業標準的F1和F2封裝，可選擇預塗導熱介面材料（TIM）和壓合引腳
• 實現卓越的熱管理，避免過熱導致的系統故障
• 全碳化矽模組通過最大限度地減少功率損耗來實現節能，從而直接降低成本和節省能源
• 提供更出色的穩健性和可靠性，確保一致的操作

EliteSiC 模組

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正確匹配柵極驅動器與EliteSiC

電動汽車充電、儲能、不斷電供應系統系統（UPS）和太陽能等能源基礎設施應用快速普及，正將系統功率水準提升到數百千瓦甚至兆瓦。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲結構，迴圈使用多達6個開關來控制逆變器和無刷直流電機（BLDC）。根據功率水準和開關速度的不同，系統設計人員會選擇各種開關技術，包括矽、IGBT和碳化矽，以最有效地滿足不同的應用需求。

在這些高功率應用中，IGBT相對於矽解決方案提供了更卓越的熱性能，但安森美半導體的EliteSiC既能實現更高的開關速度又能提供高功率。公司提供完整的碳化矽MOSFET產品組合，擊穿電壓範圍在650V到1700V之間，導通電阻（RDSON）低至12mΩ。然而，每個碳化矽MOSFET都需要正確的柵極驅動器，才能最大化系統效率並最小化總功率損耗。下表一目了然地列出了與每種碳化矽MOSFET匹配的柵極驅動器。

安森美半導體的IGBT是電動汽車充電系統的重要元器件，以其在全球大功率充電站中表現出來的高效性和可靠性而聞名。它們採用先進的半導體技術設計，可確保最佳的性能、熱管理和功率密度，適用於公共和私人充電設施。隨著汽車行業逐步走向電氣化，安森美半導體通過創新的解決方案繼續引領著電動汽車充電基礎設施的發展。