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Main Title - Infineon

Easy 1B, 2B封裝的 CoolSiC™ MOSFET產品

Mixed Media - 201909 Infineon

結合英飛淩兩大產品的優勢:Easy封裝,實現低雜散電感的基準;1200 V CoolSiC™ MOSFET 可顯著降低系統和運營成本。在拓撲結構上,該系列產品滿足了電動汽車充電應用的需要,如高頻運行和DC-DC功率級的大輸出變化。


目標應用

  • 電動車充電
  • DC/DC 轉換器
  • 工業焊機
  • 高頻開關應用
  • 不間斷電源(UPS)系統
  • 太陽能系統

 

Long Copy- Infineon CoolSiC in Easy 1b 2b

特徵

  • Easy封裝的CoolSiC™MOSFET產品具有最低的雜散電感
  • 優越的柵氧化層的可靠性
  • 與矽相比,開關損耗降低了近80%,因此能夠實現更高的切換頻率操作
  • 具有低反向恢復電荷的本質二極管
  • 最高閾值電壓為Vth > 4V
  • 在一個小的Easy封裝中含有多個開關,實現非常精簡的解決方案
  • CoolSiC™ MOSFET作為英飛淩晶片組合的補充


主要元件

  • F4-23MR12W1M1_B11
  • F3L15MR12W2M1_B69


優勢

  • 操作上具有更高的開關速度,可達50 kV /µs
  • 轉換器系統壽命更長
  • 高效率和低冷卻需求,降低了系統和操作成本
  • 提高功率密度
  • 更有效地克服寄生導通
  • 簡化系統整合和製造工作
  • 優化個體轉換器拓撲的混合模組解決方案

 

Right Rail Card Light - Infineon

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英飛淩專注於迎接現代社會的三大科技挑戰:能源效率、通訊和安全性,為汽車和工業電子裝置、晶片卡和安全應用以及各種通信應用提供電晶體和系統解決方案。

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