特徵
- Easy封裝的CoolSiC™MOSFET產品具有最低的雜散電感
- 優越的柵氧化層的可靠性
- 與矽相比，開關損耗降低了近80%，因此能夠實現更高的切換頻率操作
- 具有低反向恢復電荷的本質二極管
- 最高閾值電壓為Vth > 4V
- 在一個小的Easy封裝中含有多個開關，實現非常精簡的解決方案
- CoolSiC™ MOSFET作為英飛淩晶片組合的補充
主要元件
- F4-23MR12W1M1_B11
- F3L15MR12W2M1_B69
優勢
- 操作上具有更高的開關速度，可達50 kV /µs
- 轉換器系統壽命更長
- 高效率和低冷卻需求，降低了系統和操作成本
- 提高功率密度
- 更有效地克服寄生導通
- 簡化系統整合和製造工作
- 優化個體轉換器拓撲的混合模組解決方案