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Infineon

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1200V 碳化矽CoolSiC™ MOSFET

 

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採用TO247三引腳和四引腳封裝的Infineon CoolSiC™1200 V分立式 MOSFET,可滿足電源轉換方案中對節能SiC解決方案的快速增長的需求,例如電池充電基礎設施、儲能解決方案、光伏逆變器、不斷電系統(UPS)、馬達和工業電源。新的分立式產品組合的額定功率從30mΩ至350mΩ,適用於約1 kW至80 kW的三相電力系統。

適用於硬式切換和諧振切換拓撲的分立式碳化矽(SiC)CoolSiC™MOSFET

建立在最先進的溝槽式半導體工藝之上,採分立式封裝的CoolSiC™SiC MOSFET,可實現最低的系統損耗和最高的運行可靠性。其獨立溫度的低開關損耗以及針對硬式換流的快速本體飛輪二極體,讓分立封裝的CoolSiC™MOSFET非常適用於硬式和諧振切換拓撲,如功率因數校正(PFC)電路,雙向電源轉換拓撲和DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。出色的抗寄生效應能力能避免晶體的誤導通,即使在橋式拓撲中的關斷電壓為零伏時,也能實現基準的低動態損耗。

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特点

  • 超低切換損耗
  • 無閾值狀態特徵
  • 寬閘源電壓範圍
  • 高臨界閘閾值電壓Vgs(th)= 4.5V
  • 0V關斷閘極電壓,輕鬆實現簡單的閘極驅動
  • 完全可控的dV / dt
  • 用於硬式換流的強固本體二極體
  • 溫度獨立的截止切換損耗
  • 感測引腳可優化切換性能

Infineon SiC Coolsic


目標應用

  • EV充電
  • 儲能
  • 電源供應
  • 馬達控制和驅動

GBL_201909PF IFX CoolSiC MOSFET

Infineon

Easy 1B, 2B封裝的 CoolSiC™ MOSFET產品

結合英飛淩兩大產品的優勢:Easy封裝,實現低雜散電感的基準;1200 V CoolSiC™ MOSFET 可顯著降低系統和運營成本。