1200V 碳化矽CoolSiC™ MOSFET

採用TO247三引腳和四引腳封裝的Infineon CoolSiC™1200 V分立式 MOSFET，可滿足電源轉換方案中對節能SiC解決方案的快速增長的需求，例如電池充電基礎設施、儲能解決方案、光伏逆變器、不斷電系統（UPS）、馬達和工業電源。新的分立式產品組合的額定功率從30mΩ至350mΩ，適用於約1 kW至80 kW的三相電力系統。

適用於硬式切換和諧振切換拓撲的分立式碳化矽（SiC）CoolSiC™MOSFET

建立在最先進的溝槽式半導體工藝之上，採分立式封裝的CoolSiC™SiC MOSFET，可實現最低的系統損耗和最高的運行可靠性。其獨立溫度的低開關損耗以及針對硬式換流的快速本體飛輪二極體，讓分立封裝的CoolSiC™MOSFET非常適用於硬式和諧振切換拓撲，如功率因數校正（PFC）電路，雙向電源轉換拓撲和DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。出色的抗寄生效應能力能避免晶體的誤導通，即使在橋式拓撲中的關斷電壓為零伏時，也能實現基準的低動態損耗。